TSMC 편드는 일본·대만..연일 저격 당한 삼성전자, '반격' 나선다

세계 최초로 최첨단 공정인 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 파운드리(위탁생산) 양산에 돌입한 삼성전자를 두고 견제하는 목소리가 커지는 가운데 삼성전자가 조만간 첫 제품을 공개하며 맞대응에 나선다. 20일 정부와 업계에 따르면 삼성전자는 오는 25일 경기 화성캠퍼스 V1 라인 앞에서 반도체 파운드리 3나노 제품 출하식을 진행한다. 이날 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 사장 등이 참석할 예정이다. 삼성전자는 이번에 3나노 공정 제품을 공개하는 동시에 관련 기술에 대한 경과를 보고한다. 삼성전자가 만든 3나노 공정 첫 제품은 비트코인 채굴용 반도체 설계업체(팹리스) 판세미가 주문한 것으로 알려졌다. 회사 측은 이번 출하 물량에 대해선 밝힐 수 없단 입장이다. 앞서 삼성전자는 지난달 30일 3나노 공정 기반의 초도 양산을 세계 최초로 진행하며 '기술 초격차' 경영의 새로운 전기를 맞았다. 파운드리 업계 1위인 TSMC보다 6개월 정도 앞선 성과로, 삼성전자는 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체에 이어 모바일 시스템온칩(SoC) 등으로 공정 적용을 확대할 예정이다. 삼성전자가 도입한 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 평가 받는다. 특히 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일하다. 삼성전자는 이번에 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널(Channel) 4개면을 게이트(Gate)가 둘러 싸는 형태인 차세대 GAA 기술을 세계 최초로 적용했다. 채널의 3개면을 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교해 GAA 기술은 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술로 손꼽힌다. 삼성전자 관계자는 "3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감되고, 성능은 23% 향상되며 면적은 16% 축소됐다"며 "GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감되고, 성능은 30% 향상되며 면적은 35% 축소된다"고 설명했다.

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